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BSC097N06NS /MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:46 A

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:36 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:BSC097N06NSATMA1 SP001067004

单位重量:100 mg

供应商BSC097N06NS
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深圳市振钰科技有限公司BSC097N06NS深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
BSC097N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-81:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
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10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
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Mouser 贸泽电子
BSC097N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS5,000:¥2.7459
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25,000:¥2.5538
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立创商城
BSC097N06NSTInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.3V @ 14?A 漏源导通电阻:14.6mΩ @ 10A, 6V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥7.71
10+:¥5.83
30+:¥5.49
100+:¥5.14
500+:¥4.99
1000+:¥4.92