FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：43nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2376pF @ 15V
FET 功能：肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.8 毫欧 @ 12.7A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs