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AO4430 /二极管与整流器
AO4430的规格信息
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系列:AO

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):18A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):124nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):7270pF @ 15V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5.5 毫欧 @ 18A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC

封装形式Package:SOIC

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:18A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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AO4430-HXYN沟道, VDSS耐压 30V, ID电流 18A, RDON导通电阻 6.5mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 1.2-2.5V,HXY MOSFET(华轩阳电子)HXY MOSFET(华轩阳电子)的LOGO2.50 Mbytes共6页AO4430-HXY的PDF下载地址
AO4430LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO284.28 Kbytes共5页AO4430L的PDF下载地址CEM2082,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A,CEP65A3,CEP3120,CED13N07,CED1012,MMBF170_1,DMN2004DMK
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AO4430ALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.46
6000+:¥2.3
15000+:¥2.21
30000+:¥2.12
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150000+:¥2.051+:¥3.15
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Digi-Key 得捷电子
AO4430Alpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥2.46
6000+:¥2.3
15000+:¥2.21
30000+:¥2.12
75000+:¥2.1
150000+:¥2.05
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Digi-Key 得捷电子
AO4430Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC$1.02000
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AO4430LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 18A 8SOICObsolete
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AO4430VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥2.16
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