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AO4406AL /MOSFET N-CH 30V 8SOIC
AO4406AL的规格信息
AO4406AL的图片

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包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)11.5 毫欧 @ 12A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)17nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)910pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(最大值)3.1W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商AO4406AL
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AO4406ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO158.12 Kbytes共6页AO4406AL的PDF下载地址CEM2082,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A,CEP65A3,CEP3120,CED13N07,CED1012,MMBF170_1,DMN2004DMK
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AO4406ALAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道5+:¥0.852215
50+:¥0.658275
150+:¥0.622654
500+:¥0.587032
2500+:¥0.571201
5000+:¥0.563378