包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，20V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）11 毫欧 @ 12A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）39nC @ 10V

Vgs（最大值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2600pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（最大值）3.1W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）