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AO4406 /
AO4406的规格信息
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FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 15V

功率耗散(最大值):3W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 12A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AO4406
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现代芯城(深圳)科技有限公司AO4406www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司AO4406深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司AO4406深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司AO4406A-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市华芯盛世科技有限公司AO4406深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市坤融电子有限公司AO4406航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司AO4406A深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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深圳市百视威讯电子科技有限公司AO4406A华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
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深圳市安富世纪电子有限公司AO4406深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司AO4406深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市河锋鑫科技有限公司AO4406A华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市辰芯伟业科技有限公司AO4406华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司AO4406广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市博浩通科技有限公司AO4406A华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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集好芯城AO4406深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司AO4406A深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司AO4406/AO4406A深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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AO4406N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR ALPHA[Alpha Industries]ALPHA[Alpha Industries]的LOGO290.44 Kbytes共7页AO4406的PDF下载地址CEM4532,CEM8401,P70N02LS,CEM11C2,AO3424,AO4802,MRF18030BR3,2N7002,FDC633N,FDR4410
AO4406N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO103.73 Kbytes共6页AO4406的PDF下载地址
AO4406N-Channel 20V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1006.91 Kbytes共9页AO4406的PDF下载地址
AO4406A30V N-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO333.74 Kbytes共6页AO4406A的PDF下载地址
AO4406A30V N-Channel MOSFET WHXPCB[shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd]WHXPCB[shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd]的LOGO2580.93 Kbytes共6页AO4406A的PDF下载地址
AO4406AN-Channel 20V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1006.85 Kbytes共9页AO4406A的PDF下载地址
AO4406ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO158.12 Kbytes共6页AO4406AL的PDF下载地址CEM2082,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A,CEP65A3,CEP3120,CED13N07,CED1012,MMBF170_1,DMN2004DMK
AO4406的全球分销商及价格
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AO4406ALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.28
6000+:¥1.19
15000+:¥1.12
30000+:¥1.06
75000+:¥1.03
150000+:¥0.99011+:¥2.08
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Am2
AO4406AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.28
6000+:¥1.19
15000+:¥1.12
30000+:¥1.06
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150000+:¥0.99011+:¥1.54
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AO4406Alpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥1.28
6000+:¥1.19
15000+:¥1.12
30000+:¥1.06
75000+:¥1.03
150000+:¥0.9901
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AO4406Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOICObsolete
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AO4406AAlpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥1.28
6000+:¥1.19
15000+:¥1.12
30000+:¥1.06
75000+:¥1.03
150000+:¥0.9901
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AO4406AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC$0.66000
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AO4406VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道1+:¥1.1678
10+:¥0.863
30+:¥0.807
100+:¥0.751
500+:¥0.7261
1000+:¥0.7138
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AO4406AAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道1+:¥0.9317
10+:¥0.7088
30+:¥0.6679
100+:¥0.627
500+:¥0.6088
1000+:¥0.5998
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立创商城
AO4406AVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道1+:¥1.0338
10+:¥0.7639
30+:¥0.7144
100+:¥0.6648
500+:¥0.6428
1000+:¥0.6319
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AO4406ALAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道5+:¥0.852215
50+:¥0.658275
150+:¥0.622654
500+:¥0.587032
2500+:¥0.571201
5000+:¥0.563378