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AO4420 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道
AO4420的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.2W

类型N沟道

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AO4420VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道1+:¥0.9464
10+:¥0.6994
30+:¥0.654
100+:¥0.6086
500+:¥0.5884
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