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AO4407A /二极管与整流器
AO4407A的规格信息
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系列:AO

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,20V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2600pF @ 15V

Vgs(最大值):±25V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11 毫欧 @ 12A,20V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC

封装形式Package:SOIC

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:12A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AO4407A
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AO4407AP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO131.39 Kbytes共4页AO4407A的PDF下载地址DMP3030SN,CEM4301,CEM8311,CED4531,DMP2012SN,CEP12P10,CED20P06,DMP2104V,CEM4311,BSS84_1
AO4407A30V P-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO192.2 Kbytes共5页AO4407A的PDF下载地址
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AO4407A_102MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO405.13 Kbytes共11页AO4407A_102的PDF下载地址
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AO4407AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.59
6000+:¥1.47
15000+:¥1.43
30000+:¥1.37
75000+:¥1.3499
150000+:¥1.325+:¥6.3501
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1000+:¥
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150000+:¥1.325+:¥6.3501
25+:¥2.27
50+:¥2.23
500+:¥2.2
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6000+:¥1.47
15000+:¥1.43
30000+:¥1.37
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150000+:¥1.32
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AO4407A_102Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICObsolete
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AO4407AVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.031
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100+:¥0.6551
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AO4407AAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 12A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥1.0329
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