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AO4407 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道
AO4407的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压2.8V @ 250uA

漏源导通电阻14mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

类型P沟道

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AO440730V P-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO537.42 Kbytes共5页AO4407的PDF下载地址
AO4407P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO996.51 Kbytes共9页AO4407的PDF下载地址
AO4407P-Channel MOSFET uses advanced trench technology DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]的LOGO1495.14 Kbytes共7页AO4407的PDF下载地址
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AO4407A30V P-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO192.2 Kbytes共5页AO4407A的PDF下载地址
AO4407A30V P-Channel MOSFET WHXPCB[shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd]WHXPCB[shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd]的LOGO2125.79 Kbytes共5页AO4407A的PDF下载地址
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AO4407A_102MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO405.13 Kbytes共11页AO4407A_102的PDF下载地址
AO4407A_102MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICAlpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.的LOGO405.13 Kbytes共11页AO4407A_102的PDF下载地址
AO4407BP-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO997.85 Kbytes共9页AO4407B的PDF下载地址
AO4407C连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道AOSAOS的LOGO332.46 Kbytes共5页AO4407C的PDF下载地址
AO4407LP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO168.67 Kbytes共4页AO4407L的PDF下载地址BSS84,MTD2955V,NDH8320C,NDS9400A,NDT456P,CEM9433,BSS84,AOD413Y,AON4701,AO4801
AO4407-MS类型: 1个P沟道,P路: 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@-10V, 15mΩ/@-4.5V , 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.0V至-2.5V VDS=VGS,ID=250μAMSKSEMI(美森科)MSKSEMI(美森科)的LOGO5.41 Mbytes共8页AO4407-MS的PDF下载地址
AO4407的全球分销商及价格
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Am2
AO4407AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.59
6000+:¥1.47
15000+:¥1.43
30000+:¥1.37
75000+:¥1.3499
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1000+:¥
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AO4407AALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥1.59
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30000+:¥1.37
75000+:¥1.3499
150000+:¥1.325+:¥6.3501
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50+:¥2.23
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AO4407Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICObsolete
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AO4407AAlpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥1.59
6000+:¥1.47
15000+:¥1.43
30000+:¥1.37
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150000+:¥1.32
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AO4407A_102Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICObsolete
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AO4407KEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥1.0795
10+:¥0.7796
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500+:¥0.645
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AO4407VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.0919
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AO4407AVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.031
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AO4407AAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 12A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥1.0329
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AO4407CAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道1+:¥0.9473
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