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2SK3663 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道
2SK3663的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压1.3V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 3.7A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.56W

类型N沟道

供应商2SK3663
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2SK3663VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道5+:¥0.568582
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