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2SK3561 /TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
2SK3561的规格信息
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标准包装50

类别分离式半导体产品

家庭FET - 单

系列-

FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点标准型

漏极至源极电压(Vdss)500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds1050pF @ 25V

功率 - 最大40W

安装类型通孔

封装/外壳TO-220-3 整包

供应商设备封装TO-220SIS

包装管件

供应商2SK3561
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深圳市星宇佳科技有限公司2SK3561深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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2SK3561Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO229.15 Kbytes共6页2SK3561的PDF下载地址RJK6014DPP,2SK2605_06,2SK2965_06,2SK3236_06,2SK3388_06,2SK3440_06,2SK3389_06,2SK2508_06,2SK3442_06,2SK2542_06
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