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2SK3634 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:245mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
2SK3634的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻245mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3W

类型N沟道

供应商2SK3634
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深圳市坤融电子有限公司2SK3634航都大厦10I0755-23990975
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2SK3634-Z-E1-AZRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 200V 6A TO252$0.84000
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2SK3634VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:245mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥1.7594
10+:¥1.3001
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