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2SK3565(STA4,Q,M /MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm
2SK3565(STA4,Q,M的规格信息
2SK3565(STA4,Q,M的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

封装:Tube

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:2SK3565

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

供应商2SK3565(STA4,Q,M
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芯莱德电子（香港）有限公司2SK3565(STA4,Q,M)深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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2SK3565(STA4,Q,M)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO227.20 Kbytes共6页2SK3565(STA4,Q,M)的PDF下载地址无
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