2SK3569(STA4,X,S)
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
2SK3569(STA4,X,S)的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压4V @ 1mA
漏源导通电阻750mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)
类型N沟道
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2SK3569(STA4,X,S) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 233.71 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | 2SK3569(STA4,X,S) | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.72 10+:¥2.07 30+:¥1.95 100+:¥1.83 500+:¥1.78 1000+:¥1.75
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