2SK3565(STA4,Q,M)
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
2SK3565(STA4,Q,M)的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压4V @ 1mA
漏源导通电阻2.5Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)
类型N沟道
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2SK3565(STA4,Q,M) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 227.20 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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