2N7002KG-AE2-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
2N7002KG-AE2-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA
栅源极阈值电压2.5V @ 1mA
漏源导通电阻2Ω @ 300mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道
2N7002KG-AE2-R
2N7002KG-AE2-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 2N7002KG-AE2-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.126562 200+:¥0.092575 600+:¥0.086333 2000+:¥0.080091 10000+:¥0.077316 20000+:¥0.075945
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