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2N7002KG-AE2-R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 1mA

漏源导通电阻2Ω @ 300mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型N沟道

供应商2N7002KG-AE2-R
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2N7002KG-AE2-RUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.126562
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