2N7002DW_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:双N沟道
2N7002DW_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW
类型双N沟道
2N7002DW_R1_00001
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2N7002DW_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:双N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 174.55 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | 2N7002DW_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:双N沟道 | 10+:¥0.220368 100+:¥0.16641 300+:¥0.156499 1000+:¥0.146588 5000+:¥0.142183 10000+:¥0.140007
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