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2N6661-2 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
2N6661-2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:20

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):90V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860mA(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V

功率 - 最大值:725mW

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装:TO-39

供应商2N6661-2
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2N6661-2VishayFET - 单 - 分立半导体产品20+:¥1023.511+:¥1055.17
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2N6661-2Vishay SiliconixMOSFET N-CH 90V 0.86A TO-20520 : $138.17999
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