FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）990mA（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）725mW（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3 欧姆 @ 1A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-205AD，TO-39-3 金属罐

封装形式PackageTO-205AD-3

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS60V

连续漏极电流ID1.1A

漏源极导通电阻RDS(ON)3Ohms

无铅情况/RoHs否