FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）990mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 1mA

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

功率耗散（最大值）725mW（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3 欧姆 @ 1A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-205AD (TO-39)

封装/外壳TO-205AD，TO-39-3 金属罐

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs