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2N6660JANTX / MOSFET
2N6660JANTX的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:990 mA

Vds-漏源极击穿电压:60 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:725 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-205AD-3

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作温度:- 55 C

供应商2N6660JANTX
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