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2N6650 /达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
2N6650的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

最大直流电集电极电流:10 A

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3-2

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N6650

高度:11.43 mm

长度:39.36 mm

宽度:26.67 mm

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

单位重量:6.401 g

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2N6650Central Semiconductor达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington460:¥15.6731
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2N6650Microsemi CorporationPNP Darlington Transistor TO-3
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