2N65G-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道
2N65G-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻9.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)44W
类型N沟道
2N65G-TN3-R
2N65G-TN3-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 2N65G-TN3-R | UTC(友顺) | MOS(场效应管) | 1+:¥1.38 200+:¥0.5341 500+:¥0.5153 1000+:¥0.506
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 立创商城 | 2N65G-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道 | 1+:¥0.7737 10+:¥0.5587 30+:¥0.5193 100+:¥0.4798 500+:¥0.4622 1000+:¥0.4536
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