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2N6659 / MOSFET 35V 1.8 OHM
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:35 V

Rds On-漏源导通电阻:1.8 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

Pd-功率耗散:6.25 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

工厂包装数量:200

供应商2N6659
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