Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：350 mOhm @ 1.4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：10.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：424pF @ 50V

功率 - 最大：2W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：3DPAK

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：3.9 A

RDS -于：350@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：3 ns

典型上升时间：3.5 ns

典型关闭延迟时间：13.4 ns

典型下降时间：7.2 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

FET特点：Standard

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

供应商设备封装：TO-252-3

其他名称：ZXMP10A17KTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：350 mOhm @ 1.4A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：424pF @ 50V

闸电荷（Qg ） @ VGS：10.7nC @ 10V

封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

晶体管极性：N-Channel

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：3.9 A

RDS（ON）：350 mOhms

功率耗散：10.2 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：DPAK

上升时间：3.5 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：100 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：7.2 ns