Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：3,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Diode (Isolated)

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2A

Rds（最大）@ ID，VGS：180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：2.9nc @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：314pF @ 15V

功率 - 最大：1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-MLP

供应商器件封装：8-MLP, MicroFET (3x2)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8MLP832

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：30 V

最大连续漏极电流：2.72 A

RDS -于：180@4.5V mOhm

最大门源电压：±12 V

典型导通延迟时间：1.1 ns

典型上升时间：1.5 ns

典型关闭延迟时间：5.1 ns

典型下降时间：2.1 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

FET特点：Diode (Isolated)

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250µA

封装/外壳：8-MLP

供应商设备封装：8-MLP, MicroFET (3x2)

其他名称：ZXMNS3BM832TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1W

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：314pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：2.9nC @ 4.5V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant