Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：5.36A
Rds（最大）@ ID，VGS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：5.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：459pF @ 40V
功率 - 最大：2.12W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装：TO-252-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：60 V
最大连续漏极电流：7.9 A
RDS -于：80@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：2.6 ns
典型上升时间：2.1 ns
典型关闭延迟时间：12.3 ns
典型下降时间：4.6 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：6.1
PCB：2
最大功率耗散：8940
最大漏源电压：60
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：80@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：DPAK
标准包装名称：TO-252
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：6.58
引脚数：3
包装高度：2.29
最大连续漏极电流：7.9
封装：Tape and Reel
标签：Tab
铅形状：Gull-wing
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：5.36A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA
供应商设备封装：TO-252-3
其他名称：ZXMN6A08KTCTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.12W
漏极至源极电压（Vdss）：60V
输入电容（Ciss ） @ VDS：459pF @ 40V
闸电荷（Qg ） @ VGS：5.8nC @ 10V
封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
RoHS：RoHS Compliant
连续漏极电流：7.9 A
栅源电压（最大值）：�20 V
漏源导通电阻：0.08 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：TO-252
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：1
工作温度分类：Military