制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:5.7 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.5 mm

长度:5 mm

系列:ZXMN6

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:10.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.2 ns

典型接通延迟时间:3.8 ns

单位重量:74 mg