Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：5.7nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：330pF @ 40V

功率 - 最大：1.25W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SOP

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant

晶体管极性：N-Channel

漏源击穿电压：60 V

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：3.2 A

抗漏源极RDS （ ON）：0.18 Ohms

配置：Dual Dual Drain

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SO-8

封装：Reel

下降时间：3.5 ns

最低工作温度：- 55 C

功率耗散：1.25 W

上升时间：3.5 ns

工厂包装数量：2500

典型关闭延迟时间：8.2 ns

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

供应商设备封装：8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：1.25W

标准包装：2,500

漏极至源极电压（Vdss）：60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：5.7nC @ 10V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant