Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：70V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS：130 mOhm @ 4.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：7.4nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：298pF @ 40V
功率 - 最大：2.11W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装：TO-252-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：70 V
最大连续漏极电流：6.1 A
RDS -于：130@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：1.9 ns
典型上升时间：2 ns
典型关闭延迟时间：11.5 ns
典型下降时间：5.8 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
产品种类：MOSFET
RoHS：RoHS Compliant
晶体管极性：N-Channel
漏源击穿电压：70 V
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：6.1 A
抗漏源极RDS （ ON）：0.13 Ohms
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装/外壳：DPAK
封装：Reel
下降时间：5.8 ns
最低工作温度：- 55 C
功率耗散：8.5 W
上升时间：2 ns
工厂包装数量：2500
最大门源电压：±20
包装宽度：6.22(Max)
PCB：2
最大功率耗散：8500
最大漏源电压：70
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：130@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：DPAK
标准包装名称：DPAK
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：6.73(Max)
引脚数：3
包装高度：2.39(Max)
最大连续漏极电流：6.1
标签：Tab
铅形状：Gull-wing
P（ TOT ）：4.06W
匹配代码：ZXMN7A11KTC
LogicLevel：YES
单位包：2500
标准的提前期：16 weeks
最小起订量：2500
Q（克）：4.35nC
LLRDS （上）：0.19Ohm
汽车：AEC-Q(100)
LLRDS （上）在：4.5V
我（D ）：6.1A
V（ DS ）：70V
的RDS（on ） at10V：0.13Ohm
无铅Defin：RoHS-conform
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：TO-252-3
其他名称：ZXMN7A11KTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：130 mOhm @ 4.4A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.11W
漏极至源极电压（Vdss）：70V
输入电容（Ciss ） @ VDS：298pF @ 40V
闸电荷（Qg ） @ VGS：7.4nC @ 10V
封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63