FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

其他名称：ZXMN6A08E6QTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4.8A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

标准包装：3,000

漏极至源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：459pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：5.8nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：3000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V

晶体管极性：N-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1 V

Qg - Gate Charge：5.8 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：20 V

下降时间：4.6 ns

品牌：Diodes Incorporated

通道数：1 Channel

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

晶体管类型：1 N-Channel

正向跨导 - 闵：6.6 S

Id - Continuous Drain Current：2.5 A

Rds On - Drain-Source Resistance：150 mOhms

RoHS：RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：12.3 ns

通道模式：Enhancement

系列：ZXMN6

安装风格：SMD/SMT

最低工作温度：- 55 C

Pd - Power Dissipation：8.8 W

上升时间：2.1 ns

技术：Si