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ZXMN6A07FQTA /MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
ZXMN6A07FQTA的规格信息
ZXMN6A07FQTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:3.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:806 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:2.3 S

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.9 ns

典型接通延迟时间:1.8 ns

单位重量:8 mg

供应商ZXMN6A07FQTA
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ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23$0.53000
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ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317