Rohs：Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：End Of Life 30/July/2009

标准包装：2,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：50V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：175mA

Rds（最大）@ ID，VGS：10 Ohm @ 100mA, 5V

VGS（TH）（最大）@ Id：2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：40pF @ 25V

功率 - 最大：625mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

最大门源电压：±20

安装：Through Hole

包装宽度：2.41(Max)

PCB：3

最大功率耗散：625

最大漏源电压：50

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：10000@5V

每个芯片的元件数：1

最低工作温度：-55

供应商封装形式：E-Line

标准包装名称：TO-92

最高工作温度：150

渠道类型：P

包装长度：4.77(Max)

引脚数：3

通道模式：Enhancement

包装高度：4.01(Max)

最大连续漏极电流：0.175

封装：Tape and Reel

铅形状：Through Hole

FET特点：Standard

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：175mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2V @ 1mA

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：10 Ohm @ 100mA, 5V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

标准包装：2,000

漏极至源极电压（Vdss）：50V

输入电容（Ciss ） @ VDS：40pF @ 25V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant