包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）175mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）10 欧姆 @ 100mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）2V @ 1mA

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）40pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）625mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-92-3

封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）