Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：1,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：250V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：240mA
Rds（最大）@ ID，VGS：8.5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1.8V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS：3.65nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：72pF @ 25V
功率 - 最大：1.2W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-243AA
供应商器件封装：SOT-89-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：4SOT-89
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：250 V
最大连续漏极电流：0.24 A
RDS -于：8500@10V mOhm
最大门源电压：±40 V
典型导通延迟时间：1.25 ns
典型上升时间：1.7 ns
典型关闭延迟时间：11.4 ns
典型下降时间：3.5 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±40
包装宽度：2.6(Max)
PCB：3
最大功率耗散：1200
最大漏源电压：250
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：8500@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-89
标准包装名称：SOT-89
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：4.6(Max)
引脚数：4
包装高度：1.6(Max)
最大连续漏极电流：0.24
封装：Tape and Reel
标签：Tab
铅形状：Flat
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：240mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.8V @ 1mA
供应商设备封装：SOT-89-3
其他名称：ZVN4525ZTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：8.5 Ohm @ 500mA, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.2W
漏极至源极电压（Vdss）：250V
输入电容（Ciss ） @ VDS：72pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：3.65nC @ 10V
封装/外壳：TO-243AA
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single Dual Drain
源极击穿电压：+/- 40 V
连续漏极电流：240 mA
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：9.5 Ohms
功率耗散：1.2 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOT-89
上升时间：1.7 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：250 V
RoHS：RoHS Compliant
下降时间：1.7 ns
栅源电压（最大值）：�40 V
漏源导通电阻：8.5 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SOT-89
极性：N
类型：Power MOSFET
元件数：1
工作温度分类：Military