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ZVN4306GTA /MOSFET N-Chnl 60V
ZVN4306GTA的规格信息
ZVN4306GTA的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

系列:ZVN4306

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:0.7 S

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:112 mg

供应商ZVN4306GTA
ZVN4306GTA的供应商,可免费索样
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司ZVN4306GTA华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司ZVN4306GTA上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城ZVN4306GTA深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司ZVN4306GTA龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司ZVN4306GTA华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市拓亿芯电子有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司ZVN4306GTA航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司ZVN4306GTA深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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ZVN4306GTAMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO881.26 Kbytes共5页ZVN4306GTA的PDF下载地址无
ZVN4306GTAMOSFET Dual N-Channel 60V 2.1A SOT223Diodes IncDiodes Inc的LOGO449.95 Kbytes共5页ZVN4306GTA的PDF下载地址无
ZVN4306GTA连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：330mΩ @ 3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO449.95 Kbytes共5页ZVN4306GTA的PDF下载地址无
ZVN4306GTA的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		ZVN4306GTADiodes IncMOSFET Dual N-Channel 60V 2.1A SOT223+25:$2.01
+100:$1.74
+250:$1.57
+500:$1.44
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		ZVN4306GTAZetex Semiconductors1000+:￥4.37
2000+:￥4.08
5000+:￥3.87
10000+:￥3.73
25000+:￥3.6
50000+:￥3.491+:￥8.28
10+:￥6.6701
100+:￥5.14
500+:￥4.55
1000+:￥4.31
2000+:￥3.95
10000+:￥3.8401
25000+:￥3.77
50000+:￥3.791000+:￥3.131000+:￥3.31+:￥3.39
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		ZVN4306GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 60V1000+:￥4.37
2000+:￥4.08
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10000+:￥3.8401
25000+:￥3.77
50000+:￥3.791000+:￥3.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		ZVN4306GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223$1.45000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		ZVN4306GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 60V1000+:￥4.37
2000+:￥4.08
5000+:￥3.87
10000+:￥3.73
25000+:￥3.6
50000+:￥3.49
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		ZVN4306GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 60V1000+:￥4.37
2000+:￥4.08
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10+:￥6.6701
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50000+:￥3.791000+:￥3.131000+:￥3.3
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		ZVN4306GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chnl 60V1000+:￥4.37
2000+:￥4.08
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2000+:￥3.95
10000+:￥3.8401
25000+:￥3.77
50000+:￥3.79
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		ZVN4306GTADiodes IncorporatedMOSFET N-Chnl 60V1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		ZVN4306GTADIODES(美台)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 1mA 漏源导通电阻：330mΩ @ 3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道1+:￥5.72
10+:￥4.31
30+:￥4.06
100+:￥3.8
500+:￥3.68
1000+:￥3.63
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