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ZVN4306GVTA /MOSFET Avalanche
ZVN4306GVTA的规格信息
ZVN4306GVTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

系列:ZVN4306

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:112 mg

供应商ZVN4306GVTA
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深圳市芯幂科技有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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芯莱德电子(香港)有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市河锋鑫科技有限公司ZVN4306GVTA华强北都会轩26010755-23903154
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13380394549
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深圳市科思奇电子科技有限公司ZVN4306GVTA上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市毅创腾电子科技有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯泽盛世科技有限公司ZVN4306GVTA龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市辰芯伟业科技有限公司ZVN4306GVTA华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市拓亿芯电子有限公司ZVN4306GVTA深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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ZVN4306GVTAMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO767.22 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF下载地址
ZVN4306GVTAMOSFET AvalancheDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO498.65 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF下载地址
ZVN4306GVTA连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:330mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO537.75 Kbytes共6页ZVN4306GVTA的PDF下载地址
ZVN4306GVTA的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Am2
ZVN4306GVTAZetex Semiconductors1000+:¥5.31
2000+:¥4.95
5000+:¥4.76
10000+:¥4.58
25000+:¥4.51
50000+:¥4.41+:¥9.0299
10+:¥7.31
100+:¥5.8
500+:¥5.8
1000+:¥5.42
2000+:¥4.98
5000+:¥4.93
10000+:¥4.74
25000+:¥4.61000+:
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Digi-Key 得捷电子
ZVN4306GVTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223$1.49000
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Digi-Key 得捷电子
ZVN4306GVTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Avalanche1000+:¥5.31
2000+:¥4.95
5000+:¥4.76
10000+:¥4.58
25000+:¥4.51
50000+:¥4.4
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Future(富昌)
ZVN4306GVTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Avalanche1000+:¥5.31
2000+:¥4.95
5000+:¥4.76
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50000+:¥4.41+:¥9.0299
10+:¥7.31
100+:¥5.8
500+:¥5.8
1000+:¥5.42
2000+:¥4.98
5000+:¥4.93
10000+:¥4.74
25000+:¥4.61000+:¥3.4
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
ZVN4306GVTADiodes IncorporatedMOSFET Avalanche1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.684
500:¥6.78
1,000:¥5.6161
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Mouser 贸泽电子
ZVN4306GVTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Avalanche1000+:¥5.31
2000+:¥4.95
5000+:¥4.76
10000+:¥4.58
25000+:¥4.51
50000+:¥4.41+:¥9.0299
10+:¥7.31
100+:¥5.8
500+:¥5.8
1000+:¥5.42
2000+:¥4.98
5000+:¥4.93
10000+:¥4.74
25000+:¥4.6
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立创商城
ZVN4306GVTADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:330mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥11.07
10+:¥10.77
30+:¥10.57
100+:¥10.37