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ZVN4424GQTA /MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V
ZVN4424GQTA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:240 V

Id-连续漏极电流:500 mA

Rds On-漏源导通电阻:5.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:0.4 S

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:2.5 ns

单位重量:112 mg

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