Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：240V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：260mA
Rds（最大）@ ID，VGS：5.5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1.8V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS：-
输入电容（Ciss）@ Vds的：200pF @ 25V
功率 - 最大：750mW
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：240 V
最大连续漏极电流：0.26 A
RDS -于：5500@10V mOhm
最大门源电压：±40 V
典型导通延迟时间：2.5 ns
典型上升时间：5 ns
典型关闭延迟时间：40 ns
典型下降时间：16 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
最大门源电压：±40
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：750
最大漏源电压：240
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：5500@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：4.77(Max)
引脚数：3
包装高度：4.01(Max)
最大连续漏极电流：0.26
封装：Box
铅形状：Through Hole
单位包：2000
最小起订量：2000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：260mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.8V @ 1mA
封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商设备封装：TO-92-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：5.5 Ohm @ 500mA, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：750mW
漏极至源极电压（Vdss）：240V
输入电容（Ciss ） @ VDS：200pF @ 25V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：2000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
源极击穿电压：+/- 40 V
连续漏极电流：260 mA
安装风格：Through Hole
RDS（ON）：6 Ohms
功率耗散：750 mW
最低工作温度：- 55 C
上升时间：5 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：240 V