Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1.67A

Rds（最大）@ ID，VGS：540 mOhm @ 3.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：350pF @ 25V

功率 - 最大：3W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant

晶体管极性：N-Channel

漏源击穿电压：100 V

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：1.67 A

抗漏源极RDS （ ON）：0.75 Ohms

配置：Single Dual Drain

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SOT-223

封装：Reel

下降时间：16 ns

最低工作温度：- 55 C

功率耗散：3 W

上升时间：25 ns

工厂包装数量：4000

典型关闭延迟时间：30 ns

FET特点：Standard

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.67A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 1mA

供应商设备封装：SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：540 mOhm @ 3.3A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：3W

标准包装：4,000

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：350pF @ 25V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant