WSD4066DN
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道
WSD4066DN的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻17mΩ @ 14A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型双N沟道
WSD4066DN
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WSD4066DN | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道 | WINSOK微硕 |  | 1.15 Mbytes | 共7页 |  | 无 |
WSD4066DN的全球分销商及价格
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