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WSD4066DN /连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道
WSD4066DN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻17mΩ @ 14A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型双N沟道

供应商WSD4066DN
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WSD4066DN连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道WINSOK微硕WINSOK微硕的LOGO1.15 Mbytes共7页WSD4066DN的PDF下载地址
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WSD4066DNWINSOK微硕连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道1+:¥1.5653
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30+:¥1.0506
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