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WSD3070DN /连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道
WSD3070DN的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)25V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻3.4mΩ @ 20A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)62.5W

类型N沟道

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WSD3070DN连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道WINSOK微硕WINSOK微硕的LOGO595.23 Kbytes共9页WSD3070DN的PDF下载地址
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WSD3070DNWINSOK微硕连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道1+:¥1.9559
10+:¥1.4801
30+:¥1.3927
100+:¥1.3053
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1000+:¥1.2472