WSD20L120DN
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:P沟道
WSD20L120DN的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻2.7mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)130W(Tc)
类型P沟道
WSD20L120DN
WSD20L120DN的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | WSD20L120DN | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:P沟道 | 1+:¥3.79 10+:¥2.84 30+:¥2.67 100+:¥2.5 500+:¥2.42 1000+:¥2.38
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 立创商城 | WSD20L120DN56 | WINSOK微硕 | MOS(场效应管) | 1+:¥3.24 10+:¥2.39 30+:¥2.24 100+:¥2.08 500+:¥2.01 1000+:¥1.98
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