WSD30L40DN
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.9W(Tc) 类型:P沟道
WSD30L40DN的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻14mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)32.9W(Tc)
类型P沟道
WSD30L40DN
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WSD30L40DN | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.9W(Tc) 类型:P沟道 | WINSOK微硕 |  | 801.74 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
WSD30L40DN的全球分销商及价格
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