WSD30L120DN56
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:P沟道
WSD30L120DN56的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)78W(Tc)
类型P沟道
WSD30L120DN56
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WSD30L120DN56 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:P沟道 | WINSOK微硕 |  | 919.13 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | WSD30L120DN56 | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:P沟道 | 1+:¥3.35 10+:¥2.5 30+:¥2.35 100+:¥2.19 500+:¥2.12 1000+:¥2.09
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