WSD20L75DN
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:P沟道
WSD20L75DN的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)75A(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型P沟道
WSD20L75DN
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WSD20L75DN | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:P沟道 | WINSOK微硕 |  | 789.15 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
WSD20L75DN的全球分销商及价格
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 立创商城 | WSD20L75DN | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:P沟道 | 1+:¥1.9946 10+:¥1.4948 30+:¥1.403 100+:¥1.3112 500+:¥1.2704 1000+:¥1.2503
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