VBMB2658
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:P沟道
VBMB2658的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)41.7W
类型P沟道
VBMB2658
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VBMB2658 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 529.46 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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