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VBMB1303 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 98A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
VBMB1303的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)98A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 98A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)250W

类型N沟道

供应商VBMB1303
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VBMB1303VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 98A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道1+:¥2.78
10+:¥2.05
30+:¥1.91
100+:¥1.78
500+:¥1.72
1000+:¥1.69