VBMB1104N的供应商，VBMB1104N规格参数，VBMB1104N的PDF资料

VBMB1104N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道

VBMB1104N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）48W

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBMB1104N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBMB1104N	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBMB1104N	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBMB1104N	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	VBMB1104N	中航路都会100大厦B座10Q	0755-82578328，0755-23914356 18617161819，15820786907	曹先生，吴小姐	询价
深圳市芯晟威科技有限公司	VBMB1104N	深圳市宝安区西乡街道固戍社区石街工业区3号楼中宝大厦508	15889597042 15889597042	周	询价

VBMB1104N及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBMB1104N	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		496.03 Kbytes	共7页		无

VBMB1104N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBMB1104N	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道	1+:￥3.06 10+:￥2.26 30+:￥2.11 100+:￥1.96 500+:￥1.9 1000+:￥1.86
立创商城	VBMB1104NA	VBsemi(台湾微碧)	预售晶体管	1+:￥2.1522 200+:￥0.8329 500+:￥0.8037 1000+:￥0.7892

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