VBMB165R04的供应商，VBMB165R04规格参数，VBMB165R04的PDF资料

VBMB165R04 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：N沟道

VBMB165R04的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.5A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）30W

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBMB165R04	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBMB165R04	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBMB165R04	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBMB165R04	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBMB165R04	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市清腾科技有限公司	VBMB165R04	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋319	0755-83993052 18390902447	刘先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBMB165R04	Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		747.63 Kbytes	共9页		无

VBMB165R04的全球分销商及价格

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立创商城	VBMB165R04	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：N沟道	1+:￥1.4812 10+:￥1.0964 30+:￥1.0257 100+:￥0.955 500+:￥0.9236 1000+:￥0.9081

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